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标准概要
半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法
Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory(DDR3 SDRAM)
国家标准《半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法》 由TC599(全国集成电路标准化技术委员会)归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)。 主要起草单位 中国电子技术标准化研究院 、西安紫光国芯半导体有限公司 、上海高性能集成电路设计中心 、武汉芯动科技有限公司 、成都华微电子科技有限公司 。 主要起草人 孔宪伟 、殷梦迪 、尹萍 、巨鹏锦 、高专 、刘建明 。 GB/T 36474-2018 现行
基础信息
标准号
GB/T 36474-2018
发布日期
2018-06-07
实施日期
2019-01-01
标准号
GB/T 36474-2018
发布日期
2018-06-07
实施日期
2019-01-01
起草单位
中国电子技术标准化研究院
上海高性能集成电路设计中心
成都华微电子科技有限公司
西安紫光国芯半导体有限公司
武汉芯动科技有限公司
起草人
孔宪伟
殷梦迪
高专
刘建明
尹萍
巨鹏锦
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