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低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法

Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices
国家标准《低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 、中科院半导体研究所 。 主要起草人 惠峰 、普世坤 、董汝昆 。 GB/T 34481-2017 现行
  基础信息
标准号 GB/T 34481-2017
发布日期 2017-10-14
实施日期 2018-07-01
标准号 GB/T 34481-2017
发布日期 2017-10-14
实施日期 2018-07-01
  起草单位
  云南中科鑫圆晶体材料有限公司
  中科院半导体研究所
  云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
  起草人
  惠峰
  普世坤
  董汝昆
  推荐标准
  申明
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