标准概要

低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法

Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices

国家标准《低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。主要起草单位云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导体研究所。主要起草人惠峰、普世坤、董汝昆。 GB/T 34481-2017 现行

基础信息

标准号 GB/T 34481-2017

发布日期 2017-10-14

实施日期 2018-07-01

标准号 GB/T 34481-2017

发布日期 2017-10-14

实施日期 2018-07-01

起草单位

云南中科鑫圆晶体材料有限公司

中科院半导体研究所

云南临沧鑫圆锗业股份有限公司

起草人

惠峰

普世坤

董汝昆

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申明

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