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标准概要
硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique
国家标准《硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 南京国盛电子有研公司 、有研半导体材料有限公司 、浙江金瑞泓科技股份有限公司 。 主要起草人 马林宝 、骆红 、杨帆 、刘小青 、陈赫 、张海英 。 GB/T 14142-1993 (全部代替) GB/T 14142-2017 现行
基础信息
标准号
GB/T 14142-2017
发布日期
2017-09-29
实施日期
2018-04-01
全部代替标准
GB/T 14142-1993
标准号
GB/T 14142-2017
发布日期
2017-09-29
实施日期
2018-04-01
全部代替标准
GB/T 14142-1993
起草单位
南京国盛电子有研公司
浙江金瑞泓科技股份有限公司
有研半导体材料有限公司
起草人
马林宝
骆红
陈赫
张海英
杨帆
刘小青
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