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标准概要
碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
国家标准《碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所 、中国电子技术标准化研究院 。 主要起草人 丁丽 、周智慧 、郝建民 、蔺娴等 。 GB/T 30867-2014 现行 20231112-T-469 正在征求意见
基础信息
标准号
GB/T 30867-2014
发布日期
2014-07-24
实施日期
2015-02-01
标准号
GB/T 30867-2014
发布日期
2014-07-24
实施日期
2015-02-01
起草单位
中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子技术标准化研究院
起草人
丁丽
周智慧
郝建民
蔺娴
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