半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）

国家标准《半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）》 由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。 主要起草单位 西安电力电子技术研究所 、西安爱帕克电力电子有限公司 、英飞凌科技（中国）有限公司 、威海新佳电子有限公司 、江苏宏微科技有限公司 。 主要起草人 蔚红旗 、张立 、陈子颖 、乜连波 、王晓宝 、秦贤满 。 GB/T 29332-2012 现行 本标准等同采用IEC国际标准：IEC 60747-9:2007。 采标中文名称:半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBTs)。