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标准概要
硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
practice for shallow etch pit detection on silicon
国家标准《硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 洛阳单晶硅有限责任公司 。 主要起草人 田素霞 、张静雯 、王文卫 、周涛 。 GB/T 26066-2010 现行
基础信息
标准号
GB/T 26066-2010
发布日期
2011-01-10
实施日期
2011-10-01
标准号
GB/T 26066-2010
发布日期
2011-01-10
实施日期
2011-10-01
起草单位
洛阳单晶硅有限责任公司
起草人
田素霞
张静雯
王文卫
周涛
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