标准概要

硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

practice for shallow etch pit detection on silicon

国家标准《硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。主要起草单位洛阳单晶硅有限责任公司。主要起草人田素霞、张静雯、王文卫、周涛。 GB/T 26066-2010 现行

基础信息

标准号 GB/T 26066-2010

发布日期 2011-01-10

实施日期 2011-10-01

标准号 GB/T 26066-2010

发布日期 2011-01-10

实施日期 2011-10-01

起草单位

洛阳单晶硅有限责任公司

起草人

田素霞

张静雯

王文卫

周涛

推荐标准

申明

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