标准概要

硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers

国家标准《硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。主要起草单位峨嵋半导体材料厂。主要起草人何兰英、王炎、张辉坚、刘阳。 GB/T 4058-1995 （全部代替） GB/T 4058-2009 现行

基础信息

标准号 GB/T 4058-2009

发布日期 2009-10-30

实施日期 2010-06-01

全部代替标准 GB/T 4058-1995

标准号 GB/T 4058-2009

发布日期 2009-10-30

实施日期 2010-06-01

全部代替标准 GB/T 4058-1995

起草单位

峨嵋半导体材料厂

起草人

何兰英

王炎

张辉坚

刘阳

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申明

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