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  标准概要

硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法

Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
国家标准《硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 南京国盛电子有限公司 、宁波立立电子股份有限公司 、信息产业部专用材料质量监督检验中心 。 主要起草人 马林宝 、唐有青 、刘培东 、李静 、金龙 、吕立平 。 GB/T 14146-1993 (全部代替) GB/T 14146-2009 废止 GB/T 14146-2021 (全部代替)
  基础信息
标准号 GB/T 14146-2009
发布日期 2009-10-30
实施日期 2010-06-01
废止日期 2021-12-01
全部代替标准 GB/T 14146-1993
标准号 GB/T 14146-2009
发布日期 2009-10-30
实施日期 2010-06-01
废止日期 2021-12-01
全部代替标准 GB/T 14146-1993
  起草单位
  南京国盛电子有限公司
  信息产业部专用材料质量监督检验中心
  宁波立立电子股份有限公司
  起草人
  马林宝
  唐有青
  金龙
  吕立平
  刘培东
  李静
  推荐标准
  申明
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  关键词标签
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