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标准概要
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
国家标准《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 四川新光硅业科技有限责任公司 。 主要起草人 梁洪 、过惠芬 、吴道荣 。 GB/T 24581-2009 废止 GB/T 24581-2022 (全部代替) 本标准等同采用其他国际标准:SEMI MF 1630-0704。 采标中文名称:低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法。
基础信息
标准号
GB/T 24581-2009
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
废止日期
2022-10-01
标准号
GB/T 24581-2009
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
废止日期
2022-10-01
起草单位
四川新光硅业科技有限责任公司
起草人
梁洪
过惠芬
吴道荣
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