标准概要

低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法

Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

国家标准《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。主要起草单位四川新光硅业科技有限责任公司。主要起草人梁洪、过惠芬、吴道荣。 GB/T 24581-2009 废止 GB/T 24581-2022 （全部代替）本标准等同采用其他国际标准：SEMI MF 1630-0704。采标中文名称:低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法。

基础信息

标准号 GB/T 24581-2009

发布日期 2009-10-30

实施日期 2010-06-01

废止日期 2022-10-01

标准号 GB/T 24581-2009

发布日期 2009-10-30

实施日期 2010-06-01

废止日期 2022-10-01

起草单位

四川新光硅业科技有限责任公司

起草人

梁洪

过惠芬

吴道荣

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申明

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