标准概要

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

国家标准《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。主要起草单位机电部四十六所。 GB/T 14847-1993 废止 GB/T 14847-2010 （全部代替）本标准等效采用ITU国际标准：ASTM F95:1989。采标中文名称:。

基础信息

标准号 GB/T 14847-1993

发布日期 1993-12-30

实施日期 1994-09-01

废止日期 2011-10-01

标准号 GB/T 14847-1993

发布日期 1993-12-30

实施日期 1994-09-01

废止日期 2011-10-01

起草单位

机电部四十六所

起草人

20240143-T-469 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试红外反射法

GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

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申明

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