我国首个EUV光刻胶测试方法标准立项公示 为国产替代破局

2025年10月23日，国家标准委官网正式公示《极紫外(EUV)光刻胶测试方法》拟立项标准，公示截止日期为11月22日。作为我国首个针对EUV光刻胶的测试方法标准，该标准的制定将填补国内高端光刻胶性能评价的技术空白，为7纳米及以下先进制程芯片核心材料的国产化进程按下“加速键”，在半导体行业引发广泛关注。

EUV光刻胶是芯片先进制程制造的“核心耗材”，直接决定电路图案的精度与芯片良率，目前全球95%以上的市场被日本JSR、东京应化等企业垄断，国内国产化率几乎为零。而“无标可依”长期以来是国产EUV光刻胶突破的关键瓶颈——此前国内企业多沿用国外企业私有标准，不同厂商的测试数据无法互认，一款新材料的验证周期长达1-2年，大幅增加了晶圆厂的导入风险和研发成本。北京大学彭海琳教授团队的研究显示，缺乏统一标准导致光刻胶工艺优化陷入“试错困境”，成为制约先进制程良率提升的重要因素。

此次公示的标准由上海大学、张江国家实验室牵头起草，联合上海华力集成电路制造、上海微电子装备等产业链核心企业共同参与，构建了“产学研用”协同制定模式。据起草组负责人介绍，标准重点规范了EUV光刻胶的核心性能指标检测流程，包括灵敏度、线边缘粗糙度、分辨率及显影后图案完整性等关键参数，同时明确了测试设备的技术要求，为性能评价提供了统一“度量衡”。

该标准的立项公示被业内视为国产EUV光刻胶产业的“分水岭”。从产业价值来看，统一测试体系可将国产材料验证周期缩短至6个月以内，显著降低晶圆厂导入成本；更能推动测试设备的国产化替代，打破国外设备垄断。标准制定期间，国内产业链已呈现联动突破态势：北京大学团队解析了光刻胶分子三维结构，南开大学研发出12.9纳米高分辨材料，上海新阳、瑞联新材等企业的相关专利及产品也进入客户验证阶段。

“标准是产业升级的基础支撑。”中国半导体行业协会材料分会专家表示，该标准不仅能加速国产EUV光刻胶从实验室走向产业化，更能提升我国在全球半导体材料领域的话语权。公示期内，行业企业及科研机构可通过国家标准委官网反馈意见，预计标准正式实施后，将推动国内高端光刻胶产业实现从“可用”到“好用”的质变，为芯片产业链自主可控提供关键保障。